«Комп’ютерна схемотехніка» Рівень 1 1. Класифікація інтегральних мікросхем (ІМС). 1.Найбільш багато чисельною та найпоширенішою є напівпровідникові Іс різної складності.Складність оцінюється- степінь інтеграції к=lgN де N простих радіо-елементів таких як транзистор,діод,резистор,конденсатор на кристалі інтегральної мікросхеми.К округлюють до найбільшого цілого. К=1,2-малі ІС К=2,3-середні ІС К=3,4-великі ІС К>4 –надвеликі ІС Крім найбільш поширених ІМС з транзисторами використовують також плівкові ІС 2.Клас плівкових Іс-це елементи в основному резистори які формують за допомогою провідникових плівок ідіелектириків. а)тонко плівкові(до 1мкм) б)товсто плівкові(більше 5мкм) Найчастіше резестивні збірки. 3.Гібридні ІС-такі Іс в яких використовується один або кілька кристалів напівпровідникових ІМС,а також окремі радіоелементи. 4.ІМС надвисокої частоти як окрема група. Аналогові та цифрові ІС АІС-для обродки іперетворення сигналів які змінюються по закрну неперервної функції-лінійні ІС-підсилювачі. Ціс-для роботи з 2-вими кодами.Прицьому реалізуються функції які описані в алгебрі логіки. 2. Основні параметри інтегральних мікросхем. Потужність споживання Рс.В якості цього параметра використовують середню потужність споживання схеми,отриману усередненням миттєвої потужності за достатньо великий проміжок часу.Для більшості імс на біполярних транзисторах час переключення складає невелику частину загальньгоьчасу роботи імс.Тому середню потужність споживання можна визначити,враховуючи тільки статичний стан,не дивлячись на те ,що потужність при переключенні перебільшує їх. Рспож.сер=0,5(Рспож1+Рспож0) Де Рспож1,Рспож0 –потужності споживання відповідно в 1 та 0. Рівні вихідних напруг Uвих1, Uвих0. Ці параметри для елементів у яких сигнал 1 більш позитивний ніж сигнал 0,показують наступне:елемент рахується придатним для використання,якщо при допустимій нагрузці і в умовах згідно норм експлуатації вихідний сигнал 1 не менше Uвих1 і сигнал 0 не більше Uвих0.Для сучасних імс ці рівні складають від часток до одиниць вольт. Час затримки розповсюдження сигнала tз.р1-0, tз.р0-1. Цей параметр визначає швидкодію схем і звичайно задається у вигляді затримки розповсюдження сигналів,яка являє собою інтервал часу між зміною вхідного і вихідного сигналів. Вхідні струми Iвх1, Iвх0. Ці параметри визначають навантаження зі сторони заданої схеми на джерело сигналів.Одні схеми споживають струм по входу інші- навпаки.Схеми ТТЛ при 0 на вході струми виходять а при 1 на вході споживають струм. Статична завадостійкість Uз.ст. Це найбільше значення допустимої напруги статичної заквади по високому і по низькому рівнях вхідної напруги,при якому зміна вихідної напруги мікросхеми ще не відбувається. Коефіцієнти обєднання по входу і розгалуження по виходу Коб і Кроз. Коефіцієнт обєднання по входу визначається кількістю рівнозначних входів які має імс.Коефіціент розгалуження по виходу визначається кількість входів однотипних схем які можна підключити до даного виходу. Надійність ІМС. Характеризується частотою відмов обо оцінкою інтенсивності відмов. λ=n/(NT) n-число елементів які вийшли з ладу під час випробувань. N-загальна кількість елементів які брали участь у випробуванні. T-загальний час випробувань. Ймовірність безвідмовної роботи за час t. Р(t)=exp(-λt) Вартість ІМС. Визначається залежно від складності ,інтегрованості і т.д. 3. Основні статичні та динамічні характеристики ІМС. a). Статичні характеристики ЛІС 1. Передавальна характеристика (для інверсних елементів) Uп – напруга перемикача Uз+ - додатн.завадост. Uз- - від’ємн.завадостійк. ΔUн – зона невизначеності ΔUн = Un0 – Un' -------- - характеристика трігерів Шмідта 2.Вхідна характеристика – показник залежності Івх. Від Uвх. Використовуючи вхідні характеристики – знаходиться навантажувальна здатність вихідного каскаду.
3.Вихідна характеристика – з...